褚君浩院士做客我校南强学术讲座
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发布时间: 2017-12-20 浏览次数: 15

12月16日上午,中国科学院院士褚君浩应邀访问我校,在化学报告厅为师生带来一场题为《培育飞翔的潜能》的南强学术讲座(第859讲)。我校党委副书记、纪委书记赖虹凯向褚君浩院士颁发了“南强讲座”纪念牌。报告吸引了近300位师生到场聆听。科技处处长谭忠教授主持了本场讲座。

褚君浩院士结合自身的成长经历和科研经验,就如何利用好大学这个极好的平台来去锻炼自己的能力,给出了详尽的指导和解答。他认为“健康的体魄和心灵+浓厚的兴趣+勤奋+智慧=充实的大学生活”。

褚君院士从自己的幼儿园生活开始讲起,建议大家要练就一个健康的体魄,培育一个向上的灵魂,同时要善于汲取周围的养料,像小草一样随遇顽强。对于褚院士来说,科学研究本身的快乐就是他最大的报酬,也是他在科研方面取得重要成就的不竭源泉,所以他建议大家要在学习过程中有意识地培养这种兴趣。除此之外,他还建议大家要广泛涉猎,树立远大理想目标,有意识地培养自己的求知意识、合作精神以及未来的科研兴趣。尤其是对于有志于从事科研工作的同学来说,更要注重培养科学研究的精神,即创新精神,自由畅想、大胆假设、小心求证。

精彩报告令师生反响热烈,印象深刻,充分展现了学术领军人物的科研情结和人文情怀。褚君浩院士在报告结束之后还与听众进行了深入的交流和讨论。最后,讲座在老师和同学的热烈掌声中圆满落下帷幕。

人物名片:

褚君浩,中国科学院院士,半导体物理和器件专家。1966年毕业于上海师范学院物理系,1984年中科院上海技术物理研究所获博士学位。2005年当选为中国科学院院士。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1993到2003年任中科院红外物理国家重点实验室主任。现任《红外与毫米波学报》主编,上海太阳能电池研发中心主任。长期从事红外光电子材料和器件的研究,开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞(HgCdTe)和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式,被国际上称为CXT公式,广泛引用并认为与实验结果最符合;建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型;发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性,提出HgCdTe本征光吸收系数表达式和折射率表达式,确定了材料器件的光电判别依据;开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究,研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。发表论文316篇,《窄禁带半导体物理学》中英文专著各一本。获国家自然科学二、三、四等奖各1项、中国科学院自然科学一等奖2项、二等奖2项、中国科学院科技进步一等奖1项、上海市科技进步一、二等奖各1项。是科技部973项目首席专家、国家科学基金创新研究群体学术带头人,现任全国人大代表。

(物理科学与技术学院)

责任编辑:黄伟彬

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