2012年12月07日星期五在美国加州圣地亚哥举行的晚宴上，厦门大学物理教授薩支唐院士被美国电机电子工程师学会电子器件协会(IEEE-EDS)授予为显赫会员（Celebrated Member）。以下两篇文章是特邀恳请信和显赫会员描述文件的中文翻译。许多薩院士的历届研究生和同事从厦门, 台北, 西雅图, 波士顿, 帕洛阿尔多, 圣地亚哥, 赶来参加这宴会。第二天周六早上和下午, 厦门大学主办了薩氏团聚活动, 招待了来自各地的薩院士的研究生和同事。下面是参加活动的部分人员合影留念。

自左向右： Henry和Debbie Pao（Supertex创始人/拥有人/CEO夫妇）； Lucy Pan Sheng (Mrs. Jie Binbin), Dinah Sah (薩院士女儿)，Cindy Jie (揭斌斌女儿), Cardinal Warde（Dinah丈夫, MIT ECE教授），Sah Chihtang (薩支唐院士), Jie Binbin (厦大物理教授揭斌斌), Bella and Leo Yau (退休Intel Fellow夫妇)，Jack Sun (TSMC VP R&D兼CTO)。 不能来和不在照片里的还有：Wu Chenxu (厦大物理机电学院院长吴晨旭), Dick Blahut (UIUC- ECE 系教授及前任主任), Andy Grove (退休Intel COB and CEO), Tak Ning (IBM Fellow), Hua-Nien Yu (退休IBM senior manager), Mark Bohr (Intel Senior Fellow早走)，Herman Maes (退休Senior VP of IMEC-Belgium), Jack and Jane Peng (Chinese American Forum Executive VP夫妇), Chenming Hu (TSMC chair professor at UC Berkeley), Robert Sah(薩院士儿子), Tim Sah（薩院士孙子），Mat Sah(薩院士孙子)，Liz Sah(薩院士孙女).

美国电机电子工程师学会电子器件协会(IEEE EDS)主席Paul Yu给薩院士的特邀恳请信

亲爱的薩教授：

近60年来,美国电机电子工程师学会电子器件协会是世界之一领先专业协会致力于推动器件工程领域发展。我们的壹萬(一万10000)名会员包括本科生,学术界人员,工业界领袖,和诺贝尔奖获得者George Smith和Herb Kroemer,最近成为电子器件协会两位显赫会员。

为了承认您对工业界和人类作出的卓越贡献，我非常高兴通知您，您被电子器件协会管理委员会推选为我们的下一位显赫会员。电子器件协会全体会员为我们的显赫会员所取得的成就感到骄傲，同时从显赫会员的成功中获得鼓舞去继续推动我们领域的研究，为社会作出更大贡献。如果您愿意接受此荣誉，我们将在2012年12月6-8日在加州圣地亚哥的卡塔马兰(Catamaran)宾馆举行的电机电子工程师学会半导体界面专家会议(IEEE SISC)上首次向公众宣布您获此荣誉的消息。我们非常希望您能亲自参加12月7日周五晚上的颁发荣誉典礼。您和您的一位嘉宾的旅行费用将由电子器件协会支付。

祝贺您！我盼望收到在您方便时间尽早回信。

致

礼！

Paul Yu

电子器件协会主席

EDS显赫会员颁发以褒奖薩支唐教授

为了褒奖和表彰敬仰的EDS会员，我们高兴地推出EDS显赫会员计划。

如果你是EDS会员，你就在一个优良的团队中。我们的10000多名会员包括本科生，学术界人员，工业界领袖和诺贝尔奖获得者，例如George Smith和Herb Kroemer，我们的第一批显赫会员。

我们EDS的成员为这些显赫成员取得的成功感到荣耀也从他们身上获得鼓舞去取得更多的成就，因为促进改观我们周围的世界不单单是他们的工作也是我们的工作。

薩支唐是薩本棟教授黄淑慎教授的长子。薩本棟教授是北京清华大学物理学教授(1930-1937),中国两卷大学物理教材作者(1931-1950),国立厦门大学第一任校长(1937-1944)和中央研究院总干事(1945-1949)。黄淑慎女士曾打破了三项中国奥林比克田赛记录(1930),也是一位美国大学的数学教授(1961-1977)。薩支唐和已故的张淑南是44年的夫妻(1959-2003)。

薩支唐于2010年4月1日起任厦门大学物理与机电学院物理系院士教授。1942年在中国长汀，当一个闪电火球从他的头顶经过并炸开厦门大学无线电物理实验室100米长的无线电天线时,他就开始对真空管和晶体管有兴趣,至今已经70年。

从1961到2010年，薩支唐院士在美国两所大学任教 50 年，指导的论文有50篇物理学和半导体电子工程博士和35篇硕士。在这期间和之前，他还指导了50位工业界和学术界的博士后合作者。和研究生及合作者一起，他发表300篇学术论文。和他们，他也在中国、欧洲、日本、新加坡、台湾和美国做过150场关于晶体管物理学、晶体管技术和历史沿革的主题报告和邀请报告。

在1981年费城的科技信息资料公司（ISI）宣布的调查中，薩支唐被列为1965-1978全世界被引用次数最多的1000位科学家之一。薩支唐院士为大学二、三年级的学生写了三卷最畅销的晶体管电子学方面教科书（1991、1993、1996）,《固态电子学基础》（Fundamentals of Solid-State Electronics），目前仍在使用。他还编辑了晶体管紧凑模型和集成电路发明史方面10部专著，这些专著出版在他1991年创办的丛书于世界科学出版公司印的固态电子科学和技术进展(ASSET)里。

在1949年由已故的William（Bill）和Dorothy Everitt 帮助薩支唐和已故弟薩支漢到美国求学于伊利诺伊大学厄本那—香槟分校（UIUC）。在1953年，薩支唐获得UIUC物理学和电机工程学双学士学位。然后他去斯坦福大学,在Karl R. Spangenberg教授指导下作外部电路行波管的研究，于1954及1956年获硕士及博士学位。在William Shockley诺贝尔奖导师的指导下三年，他开始学习半导体物理及固态电子学，这开启了他的工业职业生涯(1956-1959)。 他继续在仙童半导体公司研发部与Robert N. Noyce和Gordon E. Moore一起工作（1959-1964）。在仙童研发部，他负责聘用指导和管理仙童64人的晶体管物理和技术团队，该团队研发第一代硅基双极晶体管和MOS晶体管集成电路的制造技术。

在大学工作时，薩支唐院士继续帮助已经毕业了的研究生，提供技术指导。这些毕业生正在运营他们所在的半导体制造公司（包括IBM、Intel、TSMC）。薩支唐院士在UIUC执教期间还为几家美国政府机构做顾问。基于他在晶体管物理、集成电路制造技术的贡献、和他培养出能够并已经推进了硅集成电路产业的研究生和合作者，他被美国电机电子工程师学会的电子器件协会（IEEE-EDS）嘉奖了6次：Browder J. Thompson 30岁以下作者最佳文章奖(1962);会士(1969);终生会士(1995); J.J. Ebers奖(1981), Jack Morton奖（1989）；和EDS作为表率模范的显赫会员（2012）。因为指导完成的5篇物理学博士论文他被选任美国物理学会会士（1971）。由于这些成就，他被授予弗兰克林学院MOS技术优异证书,还被两个工业界协会嘉奖，在加州圣何塞获亚裔美籍制造协会首届超技奖(1984),第四届美国半导体工业协会(US-SIA)大学研究奖(1998)。

薩支唐院士被授予比利时鲁汶德大学学校荣誉博士(1975), 台湾交通大学荣誉博士(2003),由厦门大学提名的中国国家名誉博士(2010)。他被三所中国大学聘请为名誉教授，北京大学(2002)，清华大学(2003)和厦门大学(2004)。他获美国百人会(Committee-100)第一届先锋奖(2002), 由中国工程师协会(CIE/USA)提名获第二届亚裔美籍工程师年度(AAEOY)杰出终生成就奖。他被推选为美国工程院院士(1986),台北中央研究院院士(1998)和中国科学院院士(2000)。