12月16日上午，中国科学院院士褚君浩应邀访问我校，在化学报告厅为师生带来一场题为《培育飞翔的潜能》的南强学术讲座（第859讲）。我校党委副书记、纪委书记赖虹凯向褚君浩院士颁发了“南强讲座”纪念牌。报告吸引了近300位师生到场聆听。科技处处长谭忠教授主持了本场讲座。

褚君浩院士结合自身的成长经历和科研经验，就如何利用好大学这个极好的平台来去锻炼自己的能力，给出了详尽的指导和解答。他认为“健康的体魄和心灵+浓厚的兴趣+勤奋+智慧=充实的大学生活”。

褚君院士从自己的幼儿园生活开始讲起，建议大家要练就一个健康的体魄，培育一个向上的灵魂，同时要善于汲取周围的养料，像小草一样随遇顽强。对于褚院士来说，科学研究本身的快乐就是他最大的报酬，也是他在科研方面取得重要成就的不竭源泉，所以他建议大家要在学习过程中有意识地培养这种兴趣。除此之外，他还建议大家要广泛涉猎，树立远大理想目标，有意识地培养自己的求知意识、合作精神以及未来的科研兴趣。尤其是对于有志于从事科研工作的同学来说，更要注重培养科学研究的精神，即创新精神，自由畅想、大胆假设、小心求证。

精彩报告令师生反响热烈，印象深刻，充分展现了学术领军人物的科研情结和人文情怀。褚君浩院士在报告结束之后还与听众进行了深入的交流和讨论。最后，讲座在老师和同学的热烈掌声中圆满落下帷幕。

人物名片：

褚君浩，中国科学院院士，半导体物理和器件专家。1966年毕业于上海师范学院物理系，1984年中科院上海技术物理研究所获博士学位。2005年当选为中国科学院院士。中国科学院上海技术物理研究所研究员。1993到2003年任中科院红外物理国家重点实验室主任。现任《红外与毫米波学报》主编，上海太阳能电池研发中心主任。长期从事红外光电子材料和器件的研究，开展了用于红外探测器的窄禁带半导体碲镉汞（HgCdTe）和铁电薄膜的材料物理和器件研究。提出了HgCdTe的禁带宽度等关系式，被国际上称为CXT公式，广泛引用并认为与实验结果最符合；建立了研究窄禁带半导体MIS器件结构二维电子气子能带结构的理论模型；发现HgCdTe的带间跃迁、杂质跃迁等基本光电跃迁特性，提出HgCdTe本征光吸收系数表达式和折射率表达式，确定了材料器件的光电判别依据；开展铁电薄膜材料物理和非制冷红外探测器研究，研制成功PZT和BST铁电薄膜非制冷红外探测器并实现了热成像。发表论文316篇，《窄禁带半导体物理学》中英文专著各一本。获国家自然科学二、三、四等奖各1项、中国科学院自然科学一等奖2项、二等奖2项、中国科学院科技进步一等奖1项、上海市科技进步一、二等奖各1项。是科技部973项目首席专家、国家科学基金创新研究群体学术带头人，现任全国人大代表。

（物理科学与技术学院）

责任编辑：黄伟彬