4月12日上午，第十二届全国MOCVD学术会议在我校隆重召开，来自境内外著名大学和研究机构的近300名专家围绕这一领域所取得的新成果、新进展及新应用展开深入探讨和交流。

MOCVD是金属有机化学气相沉积(Metal-organic Chemical Vapor Deposition)的英文缩写，意即一种制备化合物半导体薄层单晶材料的方法。这一技术产生于20世纪60年代，是一项半导体物理、物理化学、光学、流体力学、热力学等多学科交叉的新技术。目前，已在氮化镓、砷化镓、磷化铟、氧化锌等光电子材料研发和生产中得到广泛应用，对光电子器件、高温大功率器件的研制具有巨大影响，并已成为超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料及器件方面突破性研究的关键技术。

业内人士说，MOCVD是事关半导体照明、半导体激光、光探测器等领域的“核心”技术，该技术研究水平的提升，将会“带动”半导体光效和能效的提升。这在当前能源短缺的大背景下，更被认为是极具价值的研究方向。

当天开幕式上，中国有色金属学会秘书长杨焕文、国家半导体照明工程研发及产业联盟副主任阮军、厦门市科技局副局长徐平东、我校副校长赖虹凯先后致辞。开幕式由我校福建省半导体材料及应用重点实验室主任康俊勇教授主持。

杨焕文表示，在广大科技人员的多年努力下，我国已形成一个新兴的MOCVD高科技产业，但是，与国外先进水平还有较大差距，在工艺技术快速进步的同时，硬体设备至今仍未成熟。因此，在MOCVD方面还有大量工作需要专家学者去开发研究。

赖虹凯说，会议交由厦门大学承办，充分体现了大家对我校的信任，也是对我校半导体学科发展的肯定。希望有关师生能借此难得机会，积极与同行交流，进一步提升MOCVD技术领域教学和科研水平。

全国MOCVD学术会议始于1989年，每两年举办一次。此次会议由中国有色金属学会主办，由我校和厦门市科技局承办。

我校长期开展半导体物理方面的研究，1956－1958年，我校与北大、南大、吉大、复旦五校首创了半导体物理学科。在半导体材料和器件研发，尤其在具有光电子功能的半导体研究方面，形成了IV族、III-V族、II-VI族材料和器件门类齐全的研究力量。在MOCVD技术研究开发方面也积累了一定的基础，建设了MOCVD、MBE、UHVCVD、EBEAM、ICP等材料外延生长和器件制备系统，具备从材料设计仿真、外延生长、器件制备到系统研发的完整研究条件，在MOCVD核心技术研发方面取得了丰硕成果。

（宣传部 李静）