我校半导体光子学研究中心康俊勇教授领导的研究组经近年来的努力，在深紫外发光二极管（deep UV LED）研制方面取得突破性进展，在国内率先实现深紫外电致发光，表明了我校制备的AlN基质层、高组分AlGaN量子结构和p型结构材料均已达到很高质量。尤其在高组分AlGaN p型结构材料制备方面，通过原子层面的理论设计，突破传统的观念，实现了高效率p型掺杂，取得具有自主知识产权的成果。该研究进展在近日召开的“第十届全国MOCVD学术会议”上得到好评，并将推动我国深紫外发光二极管在高密度光学数据存贮、水和空气的清洁与杀菌、白光照明等领域的发展。
（半导体光子学研究中心）
