国际著名物理学家、微电子学家，美国国家工程院院士、中国科学院外籍院士、国际电子器件学会显赫会员、厦门大学终身名誉教授萨支唐先生，于2025年7月5日在美国安详辞世，享年92岁。

2010年，在厦门大学庆祝建校89周年大会上，厦大授予萨支唐教授名誉理学博士学位。

11月24日上午，萨支唐先生追思会在厦门大学颂恩楼220会议室举行。萨支唐先生之女萨文宜女士、之子萨立元先生以及家族宗亲代表萨力群、萨方红、刘新法等，厦门大学党委书记、中国科学院院士张荣，校友总会副理事长赖虹凯，厦门大学校友总会、基金会，长汀县教育局等部门和单位，学界代表及厦门大学师生校友代表共60余人，通过线下与线上方式共同参会。追思会由厦门大学物理科学与技术学院党委书记李书平主持。

追思会伊始，全体与会嘉宾共同观看了萨支唐先生纪念短片，回顾先生的重要成就，以及与厦门大学的深厚情谊。

张荣代表学校致辞，他深情缅怀了萨支唐先生光辉的一生，高度评价了其作为科学巨匠、学术泰斗和厦大挚友的卓越贡献与崇高品格。他表示，萨先生虽长年旅居海外，却始终心系故土，尤其对厦门大学怀有深厚感情，不仅捐赠毕生科研档案、捐资设立奖学金，更在耄耋之年仍坚持往返重洋，为厦大学子密集授课，其家国情怀与师者风范令人感佩。他强调，厦门大学将传承先生精神，矢志创新、培育新人，全力推进“双一流”建设，不负先生殷切期望。

中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃，中国科学院院士、复旦大学芯片与系统前沿技术研究院院长刘明，业界学者、长汀代表、教师代表、校友代表、学生代表、家族宗亲代表等发言深情缅怀了萨支唐先生，家属代表萨文宜与萨立元回顾了萨支唐先生的点滴往事，表达了对父亲无尽的哀思。

萨支唐先生1932年11月10日生于北京。1937年，他的父亲萨本栋在烽火之中临危受命，挑起国立厦门大学第一任校长的重担，带领厦大内迁长汀，萨支唐也与家人一同南下，来到父亲的老家福建。1949年，萨支唐从福州英华中学（现为福建师范大学附属中学）毕业，前往美国就读于伊利诺伊大学香槟分校。他在1953年获得电机工程学士和工程物理学士学位，1954年、1956年在斯坦福大学分别取得电机工程硕士、博士学位。

1962年至1988年，萨支唐被任命为美国伊利诺伊大学香槟分校物理学教授和电气工程教授。1988年至2007年，在美国佛罗里达大学担任电机和电子工程系教授、工学院首席科学家等职。

萨支唐也是北京大学（2000）、清华大学（2002）与厦门大学（2004）的荣誉教授。2010年，他被授予厦门大学名誉理学博士学位，并被聘为厦门大学物理学院全职教授。

1963年，萨支唐和同事弗兰克·威纳尔斯首次提出CMOS（互补MOS）半导体器件制造工艺，为低功耗集成电路打下了最为坚实的基础。萨支唐还提出了半导体PN结中电子-空穴复合理论；开发了半导体局域扩散的平面工艺和MOS、CMOS场效应晶体管；提出了MOS晶体管理论模型；发明了探测半导体中微量缺陷的深能级瞬态谱（DLTS）方法；发现了氢在硅中对受主杂质的钝化作用；在MOS半导体器件领域提出了著名的萨支唐方程，描述MOS晶体管输出电流－电压特性的物理模型，也是分析和设计MOS晶体管电路的基础，广泛应用于集成电路设计和模拟电路分析。

萨支唐先生毕生致力于微电子学和半导体器件研究，为全球微电子学科蓬勃发展作出里程碑式贡献。其渊博学识、治学风范与崇高品格，深刻影响并造就了大批杰出人才。他秉承父志、心系南强，始终感念其父萨本栋老校长为建设发展厦门大学倾注的巨大心血，赓续支持学校事业，悉心指导学科建设，积极增进国际交流合作，将毕生珍藏科研档案无私馈赠学校图书馆，惠泽学林、利在千秋。

斯人已逝，风范长存。萨支唐先生以其辉煌的学术成就与崇高的人格魅力，铸就了一座不朽的丰碑。他所播撒的“芯”火，必将由后辈学人接力传承，生生不息。

（物理科学与技术学院 宣传部）